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安森美半导体; 电源系统; 功率转换; 硅晶体管; Semiconductor; GaN; 共同开发;
机译:在300-500摄氏度下升高氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)升温等离子体
机译:新型2D结构材料:碳氮化镓(CC-GaN)和硼氮化镓(BN-GaN)异质结构-通过密度泛函理论进行材料设计
机译:Transphorm +富士通半导体Transphorm宣布量产GaN功率器件产品
机译:GaN功率器件的最新趋势:氮化镓,氮化镓
机译:AlGaN(氮化镓铝)/ GaN(氮化镓)高电子迁移率晶体管的热压电机械仿真。
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:基于铝和氮化镓在硅碳化硅衬底上生长铝和氮化镓氮化镓的复合材料的介电和热电性能
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。
机译:氮化镓(GaN)和氮化镓(GaN)的气相生长方法
机译:氮化镓(GaN)复合半导体晶体的制造方法以及氮化镓(GaN)复合半导体晶体的制造方法
机译:基于氮化镓(GaN)晶体管,具有多个P-GaN块
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