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K.Y.Toug; 付文杰;
CHF3; SiO2; 反应离子腐蚀; 硅特性;
机译:在CHF3等离子体中进行SiO2蚀刻期间,侧壁和底部蚀刻速率之间的交互关系(受侧壁角度影响)
机译:CHF3 / C2F6反应离子刻蚀后改性硅表面的研究
机译:磁性增强或常规反应离子腐蚀暴露的SiO / sub 2 // p-Si结构中的Si衬底的电特性
机译:CF2与Ar离子轰击在氟碳膜形成或高度选择性SiO2 / Si蚀刻中的表面反应
机译:通过短链线性醇的吸附对SiO2表面进行气相润滑,以及生物质中结晶纤维素的总和频率产生振动光谱研究。
机译:SiO2 / Si表面上具有线性金纳米天线的结构中的局部表面等离子体激元
机译:光伏应用中CHF3 / O2或CHF3 / AR中电介质和Si反应离子蚀刻的研究
机译:用于sITEX(横向提取的表面电离)和VITEX(带横向提取的体积电离)离子源的等离子体发生器的放电特性
机译:在高温下以BCl3为基的刻蚀化学腐蚀对Si3N4具有高选择性的SiO2以及腐蚀对SiO2具有高选择性的金属氧化物
机译:离子束混合制备TiO2 SiO2混合涂层的TiO2 SiO2表面改性及其层合结构的制备。
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