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65nm工艺; NEC电子公司; 浸入式; 开发; 光刻; 预计; 高k材料; 待机模式; 工艺技术; 网络系统;
机译:采用55nm工艺的新型High-k晶体管技术
机译:浸入式ArF光刻工艺中使用点过滤器的增强清洁及其对晶片缺陷的有效性
机译:开发出世界上第一个基于GaN的半导体剥离工艺,该工艺极大地扩展了半导体器件的使用范围,预计将应用于可有效利用紫外线,薄型发光二极管等的太阳能电池。
机译:光刻-光刻-蚀刻(LFLE),可进行双晶片流涂/显影工艺,并进行CD固化烘烤,以进行200wph以上的浸入式ArF光刻双图案化
机译:采用低成本大体积0.15 um光学光刻pHEMT工艺的40 GHz功率放大器。
机译:SU-8厚光刻胶紫外光刻工艺的综合模拟
机译:工艺窗口OpC验证:65 nm节点的干式与浸入式光刻
机译:用于亚100nm通道长度晶体管的X射线光刻技术,采用常规光刻,各向异性蚀刻和斜阴影制作的掩模
机译:使用硅块工艺步骤伪装错误的晶体管3-1光学-专利2007年2月28日22:27:38第26页编号:6148 2007年3月21日阳离子
机译:它采用水溶性有机薄膜光刻胶和光刻工艺,以及有机薄膜成型工艺
机译:使用采用独立系统的光刻设备形成光刻胶图案的光刻工艺
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