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科发;
氮化镓; Qorvo; 塑料封装; 无线电通信系统; 军用雷达; 塑料外壳; 产品阵容; 产品部; 基板; 基础设施;
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:雷达应用氮化镓微波晶体管技术
机译:有源雷达前照灯的强大氮化镓晶体管和厘米波放大器
机译:基于印刷电路板集成电流传感器的氮化镓 - 氮化镓功率晶体管非常快速的短路保护
机译:研究氮化镓,氮化铝镓和氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管中的电活性缺陷
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的制备与表征
机译:微波集成电路放大器设计提交给Qorvo用于制造0.09微米高电子迁移率晶体管(HEmT),使用碳化硅(siC)上的2密耳氮化镓(GaN)。
机译:氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的制造方法,该晶体管在基于氮化镓的帽段上具有栅极触点
机译:在基于氮化镓的帽段上具有栅极触点的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管
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