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于子原; 张瀚宁; 周贺; 从道永; Taskaev Sergey V; 刘恩克; 张虎;
北京科技大学材料科学与工程学院 北京100083;
北京科技大学新金属材料国家重点实验室 北京100083;
车里雅宾斯克国立大学物理系 车里雅宾斯克454001 俄罗斯;
中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室 北京100190;
Heusler合金; 马氏体转变; 相变;
机译:熔纺Mn_(50)Ni_(31.5)Co_(8.5)Ti_(10)全3d金属合金薄带的马氏体相变和磁热效应
机译:Ti_(50)Ni_(49.5)Fe_(0.5)和Ti_(50)Ni_(40)Cu-(10)三元形状记忆合金的阻尼特性
机译:通过以下方法提高Zr_(50)Ti_(16.5)Cu_(15)Ni_(18.5)和Co_(69.6)Fe_(1.3)Mn_(4.5)Si_(14.3)B_(9.3)Mo_(1.0)合金的玻璃形成能力使用少量淬火的初始锭料,并通过适当的热处理对熔体进行处理
机译:NI_(80)FE_(20)/ FE_(50)MN_(50)/ NI_(80)FE_(20)三层磁场依赖性的磁化率依赖性
机译:过渡金属和合金的声子熵:杂质和马氏体相变的影响。
机译:Ti50(Ni50-xCux)和Ni50(Ti50-xZrx)形状记忆合金的马氏体相变
机译:中国点缺陷的形成和迁移能分布 浓缩固溶体合金:Ni_ {0.5} Co_ {0.5},Ni_ {0.5} Fe_ {0.5}, Ni_ {0.8} Fe_ {0.2}和Ni_ {0.8} Cr_ {0.2}
机译:IV-a族与VIII族过渡金属合金化铬的硬度行为
机译:研究合金中马氏体相变的方法
机译:钛合金形状记忆粉末的逆马氏体相变行为制造方法
机译:50 nm 3使用至少三个短链全族的表面活性剂制造线型尺寸低于50NM的集成电路
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