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张加宏; 王超; 刘清惓; 顾芳; 李敏;
南京信息工程大学江苏省大气环境与装备技术协同创新中心;
南京信息工程大学物理与光电工程学院;
硅纳米线(SiNWs); 掺杂; 应变; 电子结构; 光学性质; 第一性原理;
机译:通过合成轴向调制掺杂的硅纳米线来编码电子性质
机译:同时掺杂硼和磷对硅纳米结构的结构,电子和光学性质的影响
机译:硅纳米线的应变驱动电子能带结构调制
机译:镓磷化镓纳米线的直径和应变依赖性结构,电子和光学性质
机译:在硅纳米线超晶格中调制光学和电子性质
机译:蚀刻时间对硅纳米线的形态光学和电子性质的影响
机译:掺杂对硅双镁烷基电子结构和光学性质的影响:DFT和TD-DFT研究
机译:电子激发结构,相关和弛豫及其对过渡金属氧化物光学性质和电子发射的影响
机译:光电发光器件(即基于氮化镓的LED)具有p掺杂的平面化层,允许径向注入纳米线中的空穴,以及n型硅衬底,允许轴向注入纳米线中的电子
机译:一维复合结构,有用的例如用于电子和光学或磁性组件或材料的包含纳米线的纳米线,该纳米线包括涂有金属氧化物的金属芯或包含该纳米线的分支结构
机译:使用多孔多层薄金属膜的硅纳米线阵列的制造方法,该多孔多层金属膜能够实现不受掺杂浓度和类型限制的硅纳米线阵列
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