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张守英; 周广东; 刘志江; 邱晓燕;
西南大学物理科学与技术学院,重庆400715;
HfAlOx薄膜; Si83Ge17; Si压应变衬底; 界面反应; 介电性能;
机译:射频磁控溅射制备的压缩应变Si_(83)Ge_(17)上HfAIO_x薄膜的界面微观结构和电性能
机译:以化学气相沉积HfAlO作为栅介质的压应变Si_(0.5)Ge_(0.5)金属氧化物半导体电容器的研究
机译:热处理对松弛Si_(1-x)Ge_(x)(x
机译:在Si_(0.8)Ge_(0.2)/ Si衬底上外延生长的应变Si层上沉积的高k ALD HfO_2的电性能
机译:氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。
机译:HfxTi1-xO2高介电常数栅绝缘子沉积在锗衬底上的电学性质和界面研究
机译:在Si_(0.75)Ge_(0.25)虚拟衬底上生长的应变补偿Si / Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱的发光
机译:应变对Ls-mOCVD在pt / siO2 / si上生长的(Ba,sr)Ti1 + xO3薄膜介电性能的影响
机译:闪存器件具有形成在层间介电膜上的控制栅,以包围形成在半导体衬底上的隧道介电膜上的浮栅的顶部和侧面。
机译:用于在应变晶格半导体衬底上制造的MOS器件的高k栅介电层的形成,其应力松弛最小
机译:集成电路的制造方法涉及在衬底上构建介电涂层,该衬底具有在有源区上方形成并被栅隔离层隔开的栅电极。
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