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新型磁负材料结构在微带阵列天线互耦抑制中的应用

         

摘要

为了抑制微带阵列天线之间的互耦,基于磁谐振原理及开口谐振环(Slit Ring Resonator,SRR)基本理论设计了一种新型磁负(Mu-Megative,MNG)材料结构.仿真结果显示,在天线阵列单元间距仅为0.153λ0的条件下,加载MNG周期去耦结构时天线阵列单元E面耦合度降低了38.8 dB,验证了其优异的互耦抑制能力.并且该MNG材料结构尺寸小,结构简单,在高密度高性能微带阵列天线设计中将具有良好的应用潜能.

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