PI、PEN膜表面改性层薄化以提高电镀层结合力

摘要

通常在PI、PEN膜上由化学镀铜形成金属层有受热后结合力低下的问题，为此考虑对绝缘膜表面改性以提高金属层结合力。当PI膜上形成10nm的改性层时热负荷下剥离强度下降，而当改性层减少至仪有几个纳米时剥离强度上升。同样，PEN膜改性少量会结合力上升。