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戴姣燕; 胡昌义; 万吉高; 方颖; 欧阳远良; 高文桂; 刘伟平; 杨家明;
中南大学,湖南,长沙,410083;
昆明贵金属研究所,云南,昆明,650221;
昆明冶金研究院,云南,昆明,650031;
低维金属材料; Ir/C簇膜; 成分; 结构; 金属有机化合物化学气相沉积;
机译:脉冲MOCVD制备铂族金属细膜。 I.沉积IR层
机译:MOCVD制备的Ir-C复合膜的微观结构和电学性能
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机译:IR膜预氧化对溅射IR膜沉积在IR膜上的PZT薄膜的化学成分和晶体性能的影响
机译:使用近红外反射光谱法(NIRS)快速同时测定美国成年燕麦的营养成分
机译:干扰素诱导的小鼠肾小球基底膜和内皮细胞病变。基底膜成分的免疫金超微结构研究。
机译:MOCVD制备的IR-C复合膜的组织和电性能。
机译:通过mOCVD制备的陶瓷外延膜和多层膜。
机译:用于形成IR膜或IR氧化物膜的组合物,以及由该组合物制成的IR膜,IR氧化物膜,IR膜图案和IR氧化物膜图案
机译:制备纳米簇分散,纳米簇膜,纳米簇分散,纳米簇分散和纳米簇分散的制造装置的方法
机译:金属有机化学气相沉积法(MOCVD)生长非极性M-平面III-氮化物膜
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