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刘鹿生;
机译:高频电能转换条件下碳化硅(SiC)肖特基二极管的性能
机译:4H-SiC肖特基势垒二极管,结屏障肖特基二极管和引脚二极管的温度传感性能比较
机译:SiC肖特基二极管提高了Boost转换器的性能
机译:基于Si-MOSFET / Si二极管,SiC-JFET / SiC肖特基二极管和GaN晶体管/ SiC-肖特基二极管功率器件的非隔离式DC-DC降压转换器的对比设计和性能研究
机译:碳化硅肖特基二极管和p-i-n二极管中缺陷电学特性的研究。
机译:各种缺陷对4H-SiC肖特基二极管性能的影响及其与外延生长条件的关系
机译:使用高斯型材的3C-SiC肖特基势垒二极管在200μm厚晶片中分析了3C-SiC肖特基势垒二极管的冲击式击穿电压
机译:碳化硅(siC)肖特基二极管和siC金属氧化物半导体的脉冲电容测量
机译:碳化硅肖特基二极管包括形成在包含氢-碳化硅的碳化硅外延体的硅面上的肖特基金属势垒(包括钛)。
机译:第二肖特基接触金属层,提高肖特基二极管性能
机译:第二肖特基接触金属层可提高GaN肖特基二极管的性能
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