退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
N.Lwomura; Y.Onozawa; Y.Cobayashi; T.Miyasaka; Y.Seki;
Fuji;
Hitachi;
Power;
Semiconductor;
Co.,Ltd;
IGBT模块; 开关性能; 高频; 工业; IGBT器件; 功率损耗; 门极;
机译:具有低噪声特性和高$ {d} I_ {C} / {d} t $可控制性的1200V低损耗IGBT模块
机译:具有低噪声特性和高dIC / dt可控性的1200V低损耗IGBT模块
机译:1200V IGBT模块,用于磁能再生开关(MERS)
机译:适用于高速工业应用的1200V新型IGBT模块
机译:用于高频开关电源的多模接近最小偏差控制器IC
机译:具有高分散热和机械性能的大规模生产石墨烯/ PEBA膜的新工业技术可用于CO2 / CH4选择性
机译:1200V 100A SIC MOSFET和1200V 100A硅IGBT的性能比较
机译:适宜工业技术国际论坛于1978年11月20日至30日在印度新德里/阿南德举行。适用于农村工业的技术
机译:用于IGBT模块的散热模块和具有相同功能的IGBT模块
机译:具有腈水解酶活性的编码多肽的DNA片段,编码多肽的重组质粒DNA PNHJ20L,菌株大肠杆菌TG1 / PNHJ20L,具有腈水解酶性能的多肽的制备方法
机译:IGBT模块的散热模块和具有相同功能的IGBT模块
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。