高压GaAs亚纳秒光电导开关的实验研究

摘要

报道了用全固态绝缘结构研制的半绝缘GaAs光电导开关产生高压亚纳秒电脉冲的性能和测试结果.分别用ns、ps激光脉冲触发开关的测试表明,开关的暗态维持电场达35kV/cm,输出电流脉冲上升时间约500ps,达亚纳秒量级.测量了高倍增开关的光电阈值曲线,其最小触发电场阈值≥4.1kV/cm.开关输出电磁脉冲无晃动.3mm电极间隙开关2500V偏置下,入射光能量为8μJ时获得线性波形,在48μJ时获得Lock-on波形.