分子束外延生长SiGe合金中位错密度的研究

摘要

Schimmel腐蚀液腐蚀结合高倍光学显微镜观察发现,不同尺寸的掩膜窗内生长的SiGe外延层中的位错密度在整个外延层中从SiGe/Si界面到SiGe外延层表面由少到多,再由多到少明显地分成3个区.无掩膜窗限制的大面积区内的SiGe层则只呈现2个区.掩膜材料与掩膜窗尺寸不同,这3个区的位错密度也不同.掩膜形成过程中产生的应力对衬底晶格的影响,以及掩膜边界对衬底与外延层的影响是造成这种不同的根本原因.