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王元诚1; 李建军1; 王海阔1; 袁泽旭1; 王梦欢1; 邹德恕1; 韩军1; 邓军1;
[1]北京工业大学,光电子技术教育部重点实验室,北京;
共振腔; 发光二极管; 氮化镓; 提取效率;
机译:氮化镓基谐振腔发光二极管发展近况
机译:硅衬底上氮化镓谐振腔发光二极管的设计
机译:优化高性能氮化铟镓/氮化镓基薄膜垂直发光二极管的n型触点设计和芯片尺寸
机译:氮化镓基发光二极管的内部量子效率更高,且图案化蓝宝石衬底的占空比更大
机译:氮化镓/氮化镓铟镓基发光二极管的温度相关特性。
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:优化氮化镓基发光二极管的效率从电流展开到电极的接触面积
机译:固态照明计划,最终报告,用于氮化镓发光二极管器件的先进EpI工具。
机译:氮化镓基半导体发光器件,制造氮化镓基半导体发光器件的方法,氮化镓基发光二极管,外延晶片以及制造氮化镓基发光二极管的方法
机译:氮化镓基半导体发光器件及其制造方法,氮化镓基发光二极管,外延晶片以及氮化镓发光二极管的制造方法
机译:氮化镓基半导体发光元件的制造方法,氮化镓基半导体发光元件,氮化镓基发光二极管,外延晶片
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