多层间隔式结构多孔硅冷阴极电子发射的研究

摘要

在多孔硅 (PS)表面电子发射冷阴极中采用间隔式多层结构。由此 ,器件电子发射效率显著提高 ,在32 .5 V偏压下 ,发射效率达 13.5 % ,发射电流密度 2 9μA/ cm2 ;工作电流和发射电流的波动性明显减小 ;器件稳定性得到提高。