利用阳极化处理铝的大面积栅式场发射阵列（FEAs）

摘要

本文报道了一种用非光刻技术生产栅式场发射阵列铝膜的新方法。用此方法，生产出了轮廓分明的多孔阳极化处理的铝层，用于生产密度很高的场发射体（≈5×10∧8/cm∧2），小尺寸单个发射体器件的优点就是能够在较低的引出电压下工作。能够观察到发光的最低引出电压为15V。发射体阵列含有大约20000个发射体，可获得高达30mA/cm∧2的电流密度（在50V激励电压下），最近的结果表明其性能适合作显示器件，这一技术在制作大面积、低成本的显示器件方面具有潜力。