在GaInP激光二极管中的少数载流子效应

摘要

利用顶接触窗口，在正向偏置驱动时，我们观测到了AlGaInP激光二极管的激光发射，其发射位置于p型盖层和接触层之间界面的直接隙监控层上，因此提供了该种器件中少数载流子（电子）漏泄的直接证据，我们进一步指出，漏泄是由于漂移和扩散造成的，而且在偏置情况下对器件用光脉激励，通过时间－行程实验，我们测定了p型盖层的少数载流子迁移率为170±10cm2V-1s-1。利用模拟对数据进行了分析，其模拟是考虑了在结构的整个时间响应上；在阱在监控层中复合时间的起伏，测得的迁移率相当于通过X－导带的电子迁移。我们指出，漏泄电流的漂移成份使微分效应减小，而且随温度的增加处微分效率也减小，由于漂移和扩散组合存在的漏泄，随驱动电流的增加，迁移时间没有明显减小，然而，除非漏泄变为总电流的基本成份，预期漏泄对调制响应的影响会很小。