载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼

摘要

用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Mo-n团簇束,当团簇束分别在偏压为0、1、3、5、10 kV的电场中加速后,沉积在室温下的P型Si(111)衬底上,获得Mo/Sj(111)薄膜样品.用XRD分析表明,在室温下,偏压≤5 kV团簇束沉积和常规磁控溅射沉积获得的Mo/Si(111)样品,其界面均无二硅化钼(MoSi2)生成;偏压=10 kV时,团簇束沉积其界面直接有MoSi2生成.对于团簇束沉积,当偏压大于一定值时(在本实验条件下偏压≥3 kV),薄膜才开始以Mo(110)择优取向生长.