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Si-PIN探测器中子直照灵敏度研究

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介绍了利用K600中子发生器进行Si-PIN探测器灵敏度标定的实验方法,并在实验中测出了Si-PIN探测器对14MeV中子的直照灵敏度.同时,利用MCNP模拟程序对Si-PIN探测器不同能量的中子直照灵敏度进行了理论计算,实验灵敏度处理结果和理论计算值较为一致.

著录项

来源
《核电子学与探测技术》 |2004年第4期|373-375|共3页
作者
张国光; 黄龙生; 张前美; 欧阳晓平; 宋纪文; 张显鹏; 周祖英;
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作者单位

西北核技术研究所,陕西西安,710024;

西北核技术研究所,陕西西安,710024;

西北核技术研究所,陕西西安,710024;

西北核技术研究所,陕西西安,710024;

西北核技术研究所,陕西西安,710024;

西北核技术研究所,陕西西安,710024;

中国原子能科学研究院核物理所,北京,102413;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类中子和其他辐射探测器;
关键词
Si-PIN探测器; 中子直照灵敏度; 灵敏度标定; MCNP程序;

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