直流反应磁控溅射沉积a-C：H薄膜的微结构和摩擦磨损行为

摘要

采用直流的反应磁控溅射技术,以高纯石墨为溅射靶材和CH4为反应气体,调节CH4流量,在p（100）单晶硅和不锈钢基底上成功制备出系列的含氢a-C：H薄膜.利用场发射扫描电子显微镜（FESEM）、原子力显微镜（AFM）、Raman光谱、纳米压痕仪、CSM划痕测试仪、摩擦磨损试验机等测试手段对所制备含氢a-C：H薄膜的微结构、力学性能和摩擦磨损行为进行系统表征.结果表明：随着CH4流量的增加,含氢a-C：H薄膜的致密度呈现出微弱的先增加后减小的趋势;薄膜的沉积速率随着CH4流量的增加逐渐增加,但增幅呈现出逐渐减小趋势;随着CH4流量的增加,薄膜中sp-3杂化键含量及其纳米硬度和杨氏模量也呈现出先增加后减小的规律;摩擦实验结果表明当CH4流量为8 sccm,所制备的含氢a-C：H薄膜的摩擦学性能最佳,摩擦系数为0.20,磨损率为6.48×10-7mm3/（N·m）.