银掺杂SiO2薄膜的制备及对荧光粉发光增强效应的研究

摘要

以硝酸银为银源、正硅酸四乙酯为SiO2源,采用溶胶一凝胶法制备了银掺杂SiO2薄膜,考察退火温度对银掺杂SiO2薄膜形貌及吸收特性的影响.结果表明:银掺杂SiO2薄膜的形貌由退火温度调控,不同退火温度制备的薄膜具有不同的光学消光特性,退火温度为600℃时,薄膜的荧光增强效应最强.荧光粉通过旋涂方式连接到银掺杂SiO2薄膜表面,基于银薄膜的局域表面等离子体共振特性实现了对荧光粉发光强度的增强.