GaAs(100)表面上含Cl物种的形成和激光诱导的脱附

摘要

用ＸＰＳ分析了盐酸处理前后的ＧａＡｓ（１００）表面。未处理ＧａＡｓ（１００）表面上有约１．７ｎｍ厚的氧化层；盐酸处理可除去氧化层并在表面上形成一层氯化镓物种。本实验还用３５５和１９３ｎｍ激光研究了此含氯物种的激光诱导脱附过程。结果表明，３５５ｎｍ激光导致氯化镓热脱附，从激光的热效应可推测出表面氯化镓物种可能是ＧａＣｌ；１９３ｎｍ激光可将ＧａＣｌ解离，从而导致光解Ｃｌ脱附。