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京都大学,化学研究所,日本;
机译:GaN和InN多晶型物的L_3 X射线吸收近边缘结构(XANES)和电子能量损失近边缘结构(ELNES)的第一性原理计算
机译:GaN和InN多晶型物的L {sub} 3 X射线吸收近边缘结构(XANES)和电子能量损失近边缘结构(ELNES)的第一性原理计算
机译:矿物中B的平行电子能量损失谱(PEELS)研究B K边缘的电子能量损失近边缘结构(ELNES)
机译:用第一原理带结构计算解释电子能量损失近边缘结构
机译:真实空间网格框架内的第一性原理电子结构计算:在原子,分子和纳米结构上的应用。
机译:IrTe2中的结构相变:光谱学和能带结构计算的组合研究
机译:晶体结构对三价钴氧化物Co-L-2,L-3 X射线吸收近边缘结构和电子能量损失近边缘结构的影响
机译:Be(2)C的电子能量损失近边结构
机译:能量谱测定装置,电子能量损失谱仪,具备该能量谱仪的电子显微镜以及电子能量损失谱测定方法
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