IBM联盟研制32nm高k／金属栅SRAM

摘要

mM公司已研制出32nm高k／金属栅SRAM样品，并计划与它在Fishkill的联合伙伴在2009年下半年将高k／金属栅引入32nm工艺，设计团队已完全投入该工艺的设计。32nm项目组最近成功地研制出1．5MB阵列，其管芯尺寸小于0．15μm2，为45nm工艺代管芯的一半。因为利用了高k（电介质），改进了其可变性。随着栅电介质越来越薄，漏电流和可变性问题日益突出，而使用“高k”就不必耽心此工艺代的可变性问题。