首页> 中文期刊> 《现代电子技术》 >体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究

体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

从等温和非等温两个角度,在250 K～573 K(-23℃～300℃)范围内,对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究.系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要电学参数的温度效应及其机理.

著录项

来源
《现代电子技术》 |2006年第23期|124-126|共3页
作者
刘侠; 王钦;
展开▼
作者单位

东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,江苏,南京,210096;

东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,江苏,南京,210096;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP333.5+2;
关键词
体硅LDMOS; 等温; 非等温; 负阻效应;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 体硅高压LDMOS器件二维温度分布模型 [J] . 王钦 ,孙伟锋 ,刘侠 . 电子器件 . 2007,第003期
2. 500 V体硅N-LDMOS器件的研究 [J] . 李栋良 ,孙伟锋 . 电子器件 . 2008,第002期
3. 100 V体硅N-LDMOS器件研究 [J] . 许坚 ,孙伟峰 ,李海松 . 电子器件 . 2008,第002期
4. 110 V体硅LDMOS器件研究 [J] . 罗向东 ,孙玲 ,陈海进 . 南通大学学报（自然科学版） . 2008,第002期
5. 500V体硅N-LDMOS器件研究 [J] . 陆生礼 ,孙伟锋 ,易扬波 . 固体电子学研究与进展 . 2005,第4期
6. 500V体硅N-LDMOS器件终端技术的研究 [C] . 李栋良 ,张景超 ,刘利峰 . 2008年中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会 . 2008
7. 500V的体硅N-LDMOS器件研究 [A] . 李栋良 . 2008

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号