一个2.2GHz低相位噪声的高频率LC压控振荡器的设计

摘要

为了满足高性能锁相环对高频压控振荡器低相位噪声的要求,提供了CMOS全集成负电导压控振荡器在2.2 GHz频率的设计.这种结构的优点和缺点要在设计中相互平衡.CMOS VCO的相位噪声应用据线性时变脉冲敏感函数(ISF)分析和计算并且与仿真结果进行比较.结果证明线性时变模型ISF能够很好的估算相位噪声,同时使用LC滤波技术改善相位噪声性能,在1/f3区域,相位噪声改善了9 dBc/Hz;在1/f2区域,改善了5 dBc/Hz.在最后给出使用0.35 μmCMOS工艺制作的2.2 GHz VCO的实验结果.