垂直MOS功率器件的结构设计

摘要

本文以理论分析为依据,对垂直导电型功率器件,即 VDMOS 晶体管的结构进行优化设计。特别对高压器件的元胞形状、尺寸、导通电阻、终端保护结构、工艺参数等进行了合理设计,并在工艺上验证了400~V-2~A 及600~V-5~A 两种器件的设计。对工艺流程中出现的问题亦进行了相应的分析解决,获得合格的样品及一套完整的