等离子体提纯硅粉的实验研究

摘要

本文阐述了等离子体工艺在硅粉提纯方面的应用，在真空条件下，利用ＨＣｌ或含氯气体化合物，经射频辉光放电形成等离子体与硅粉中的杂质反应，可以在较低的温度下（２００℃￣４００℃），较短的时间（１￣２小时）内，除去硅粉中的大部分杂。而且操作简单，功耗较低。