加入支撑墙的FED的电场分布及电子轨迹数值模拟

于宏宇; 罗淑云; 葛常锋; 刘珩

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FED内部真空中的电场和电子运动受到支撑结构的影响,为此采用了有限元法计算带有介质支撑墙的FED电场分布;采用龙格-库塔法计算该空间电子轨迹.并且在考虑了介质支撑墙上的二次电子发射之后,定性的分析了空间电场电子轨迹及墙上的电荷积累情况.得出了支撑墙对FED电子轨迹影响的数值结果,对器件的设计提出了建议.

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来源
《微细加工技术》 |2000年第2期|19-23|共5页
作者
于宏宇; 罗淑云; 葛常锋; 刘珩;
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作者单位

清华大学电子工程系,北京,100084;

清华大学电子工程系,北京,100084;

清华大学电子工程系,北京,100084;

清华大学电子工程系,北京,100084;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计和计算;
关键词
FED(场致发射显示器); 支撑墙; 二次电子发射;

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