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集成电路; MOS器件; 离子注入; 工艺;
机译:通过混合等离子体浸没离子注入工艺获得的亚微米TiN涂层的结构研究和耐磨性
机译:一种自对准氮注入工艺(SNIP),可将亚微米LOCOS中的场氧化物稀化效应降至最低
机译:采用0.18微米CMOS工艺的4.36 fJ /转换步长超低功耗16位逐次逼近寄存器电容数字转换器
机译:使用亚微米0.13μ几何形状的原位颗粒测量降低由于离子对离子注入工艺的良率影响
机译:深亚微米CMOS技术中节电数据转换器的设计技术。
机译:通过等离子体辅助硒化法将水热处理的CoMoO4纳米片阵列直接转换成3D CoMoSe4纳米片阵列从而获得钠离子电池中的优异阳极材料
机译:快速上升时间等离子体浸没离子注入工艺中电子冲击波的粒子电池模拟
机译:Oxotrimolybdenum(IV)醇盐:mo3(微米3-O)(微米3-OR)(微米2-OR)3(OR)6,其中R = i-pr和CH2Cme3 - 从偶然发现到全合成
机译:半亚微米MOS器件的分级LDD注入工艺
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