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倪立华;
中国华晶电子集团公司中央研究所;
MOS; 集成电路; 超薄栅; 氧化层; 制备;
机译:应变硅上生长的栅氧化层的电学特性研究
机译:浮栅型鳍片通道双栅和三栅闪存的制备及其电学特性的比较研究
机译:具有双20nm栅极的全栅无结多晶硅纳米线晶体管的特性
机译:超薄SiO / sub 2 /栅氧化层特性研究
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:多种技术分析方法对高金合金熔瓷的氧化层特性及界面分析
机译:栅氧化层中si纳米晶分布mOs结构电学特性的充电效应
机译:Hrtem图像模拟栅氧化层中的结构缺陷。
机译:确定穿过薄栅氧化膜的隧道中有效栅氧化层厚度和临界栅氧化层厚度的方法
机译:具有HV输入级的集成电路-在具有绝缘栅电极的衬底上具有开关MOSFET,绝缘栅电极的栅氧化层的厚度与场氧化层的厚度相同
机译:制造防止双栅氧化层中厚栅氧化层变薄的半导体器件的方法
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