沉积氧气压力对纳米晶硅光致发光的影响

摘要

用脉冲激光(Nd:YAG激光)沉积技术在硅基上沉积富硅SiO2薄膜(SiO_x,x<2),沉积时氧气压力分别为1.33,2.66,3.99,5.32,6.65,7.98Pa,膜的厚度约为300nm。随后,在氩(Ar)气中1000℃的温度下对沉积的SiOx薄膜进行热退火处理30min,使在SiO2薄膜中生长出硅纳米晶。用光谱分析仪分析其在室温下的光致发光(PL)光谱时发现,随着沉积氧气压力的增强,峰值波长在减小(即蓝移),表明纳米晶硅颗粒在减小;同时,在本研究中的制作条件下,PL强度与沉积氧气压力有较强的依存关系,在2.66-3.99Pa的氧气压力条件下沉积制作的试样,得到最大的PL强度。