Sol-Gel工艺Si基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜制备与晶相结构研究

王华; 于军; 王耘波; 秦冬成

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采用Sol Gel工艺制备了Si基Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜。研究了退火温度、退火时间、薄膜厚度等对薄膜晶相结构的影响。研究表明 ,退火温度对Si基Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜晶相结构的影响最为显著 ,而且随退火温度升高 ,Bi4 Ti3O1 2 薄膜更趋向于沿c 轴取向的生长 ;退火时间在 30分钟内对薄膜晶相结构的影响比较明显 ;薄膜厚度及

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来源
《材料科学与工程学报》 |2002年第4期|504-506|共4页
作者
王华; 于军; 王耘波; 秦冬成;
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作者单位

桂林电子工业学院通信与信息工程系;

华中科技大学电子科学与技术系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TM223;
关键词
Sol-Gel法; 铁电薄膜; 晶相结构; 制备工艺; 钛酸铋; 铁电材料;

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