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景亚霓; 钟传杰;
江南大学物联网工程学院,无锡214122;
等离子增强化学气相淀积; 氮化硅; 氢气添加; 光学带隙; 高频电容-电压特性;
机译:工艺条件对射频电容耦合SiH4 / NH3 / N2等离子体中等离子体特性的影响:二维模拟
机译:LF-PECVD沉积SiH4 / N2的非晶氮化硅膜的特性
机译:低压直流放电产生的H2,H2 + Ar和H2 + N2等离子体中的离子和中性物质
机译:电极材料和几何形状对平行板等离子体蚀刻反应器中粒子阱的电学特性产生影响。
机译:C2H2 / N2等离子体中等离子体聚合的理化性质及其对COL X的影响研究
机译:氢化氮化硅氮化硅非平衡等离子体放电的数值模拟(SiH4 / NH3 / H2)
机译:混合等离子体的传输特性:He - N2,ar - N2和Xe - N2等离子体在一个大气压,介于5,000°K和35,000°K之间。
机译:包括n2等离子体气体和n2 / h2等离子体气体的两步灰化工艺的半导体器件的制造方法
机译:H2或H2 / N2等离子体处理可防止有机ILD降解
机译:MTS,SIH4:C2HCL3,SIH2:CL2:C2H2和SIH6:C2H2作为主要反应气体通过CVD在BN膜上形成SIC膜的方法
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