不同腐蚀深度对多晶硅太阳能电池电性能的影响

摘要

研究了多晶硅片表面织构化对太阳能电池电性能的影响，通过调整工艺参数得到腐蚀深度分别为2．9μm、3．8μm、4．6μm的3批样品，采用扫描电子显微镜（SEM）和光谱响应系统表征了表面形貌和反射率，分析了腐蚀深度与后续各制程的关系。对比了绒面反射率及电性能参数，确定了最佳的腐蚀深度。