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郝夏斐; 潘三博;
安阳师范学院,安阳455002;
碳化硅; 肖特基二极管; 仿真模型; 效率;
机译:钌与碳化硅的固相反应及其作为高温运行肖特基二极管的肖特基接触的意义
机译:碳化硅肖特基功率二极管中重离子驱动漏电流中的电荷传输机制
机译:碳化硅电源肖特基二极管和MOSFET中单事件辐射失效机制的新洞察
机译:适用于高频开关应用的4 kV碳化硅肖特基二极管
机译:碳化硅肖特基二极管和p-i-n二极管中缺陷电学特性的研究。
机译:D-T聚变中子检测中碳化硅肖特基二极管检测器的抗辐射性
机译:碳化硅(siC)肖特基二极管和siC金属氧化物半导体的脉冲电容测量
机译:碳化硅中掺杂区的制备方法及其在肖特基二极管中的应用
机译:碳化硅肖特基二极管包括形成在包含氢-碳化硅的碳化硅外延体的硅面上的肖特基金属势垒(包括钛)。
机译:碳化硅阻挡层-肖特基二极管,在碳化硅层的区域中具有深度和距离的沟槽,使得在肖特基-过渡-边界表面处的电场强度等于或小于特定值
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