一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法

摘要

申请（专利）号：201210400849.9公开（公告）日：2013．03．27申请（专利权）人：天津大学 摘要：本发明公开了一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法，步骤为：（1）对n型单面抛光的单晶硅片进行清洗；（2）采用双槽电化学腐蚀法在硅片的抛光表面制备孔径尺寸在50～200nm的硅基孔洞有序多孔硅，腐蚀液为6％一8％的氢氟酸水溶液，施加的腐蚀电流密度为115～135mA／cm2，腐蚀时间为5—25min；（3）再将多孔硅置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室，制备基于硅基孔洞有序多孔硅的氮氧化物气体传感器元件。本发明的制备方法简单，灵活可调，工艺条件较少，易于控制；提供了一种可在室温及极低浓度（0．1×10-6）下具有高灵敏度、高选择性、快速响应／恢复特性、重复性好的氮氧化物气体传感器元件。