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孙永伟; 张秀兰; 杨国华; 叶晓军; 陈良惠;
中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室,北京,100083;
分子束外延MBE; 硅掺杂; 砷化镓; 电化学C-V;
机译:III'-III“ -V化合物和掺杂剂在分子束外延中杂质偏析和晶格失配的相互作用:在lnGaAs:Sn纳米异质层生长中的应用
机译:分子束外延中高掺杂InGaAs的自由载流子吸收和生长温度
机译:GaAs(001)分子束外延中的低温生长及Mn,Si,Sn掺杂的原位研究
机译:光致发光和电子传输性能的硅掺杂Ga×0.52In} 0.52In}×0.48p / gaas在固体源分子束外延中的旋转磷裂解细胞生长
机译:原位高温干涉法监测和控制固体源分子束外延中砷化镓和砷化铝镓的生长和碳掺杂。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:硅分子束外延中元素硼的掺杂行为
机译:硅掺杂在分子束外延alGaas / Gaas异质结构中的晶体取向依赖性
机译:硅掺杂的gaas-单晶锭及其制造方法,以及硅掺杂的gaas-单晶晶片,由硅掺杂的gaas-单晶锭组成
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
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