β-Ga2O3薄膜的生长与应用

摘要

cqvip:超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)有五种晶相,其中β-Ga2O3能带带隙为4.7~4.9 eV,在高温气体传感、深紫外日盲光电探测和功率器件等领域具有重要应用潜力。文章综述了β-Ga2O3薄膜生长/掺杂技术、β-Ga2O3薄膜器件、β-Ga2O3器件在实际应用中渗透市场的挑战,以及未来工作的途径。