IGBT平面高压终端结构的研究

摘要

耐压是IGBT的一个重要参数,所以其高压终端结构的研究一直受到人们的重视.针对常规采用的场限制保护环法和场板法高压终端结构的缺陷,本文提出了场板混合终端结构.此结构结合了场限制环和场板的各自优点,可使得击穿电压对环间距、氧化层厚度及氧化层电荷的敏感程度大大降低,从而简化了工艺的复杂性,并可获得最佳的耐压效果.本文首先对场板混合终端结构的优化设计进行了解析研究,提出了一套完整的设计理论,然后通过实验验证了此理论的正确性.