强电子流增强化学气相沉积法生长金刚石膜

摘要

金刚石具有许多优异特性,掺杂后可成为半导体.常规的高温高压合成方法难于成膜,特别是很难控制掺杂的深度分布和产生适合制作器件的良好结构.近年来迅速发展了多种低压气相金刚石膜生长技术,在低压(≤1atm)和低温(1000℃)下制成了金刚石多晶膜.但是,各种方法都存在不少问题:难于获得大面积,均匀的膜,膜表面粗糙,膜内存在大量的缺陷,与基体结合差等.限制了它在电子、光学、机械等领域的应用.为了解决这些困难,我们正在研究发展一种强电子流增强化学气相沉积(HECVD)制备金刚石膜技术.