炭化温度对木质素导电炭石墨化结构的影响

摘要

为了分析和探索导电炭在不同炭化温度下石墨化的特性,以Ni(C4H6O4Ni·4H2O)为催化剂,木质素为原料,催化炭化制备生物质导电炭.通过X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM)和拉曼光谱分析手段对导电炭石墨化结构进行表征.结果表明,当木质素炭化温度为500℃时,可能开始出现石墨化现象,温度升高,D峰的半峰宽逐渐减小,两峰积分面积比值R值逐渐减小,石墨化程度更高,结晶更完整.炭化温度在1 100℃时,电阻率能达到0.078Ω·cm,石墨化度达到83.7%.炭化温度越高,导电炭的电阻率越小,层间距越小,石墨状微晶结晶度越高,d002晶面间的层间距越接近石墨d002层间距.