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胡耀祺;
漳州电子技术研究所;
硅; 杂质; 缺陷; 晶体管; 半导体;
机译:硅waiha④引起的器件缺陷和waiha工程:杂质污染对器件的影响
机译:掺杂鳍片场效应晶体管侧壁:由于大角度入射离子注入而对硅中杂质的保留以及对器件性能的影响
机译:硅回波导致的器件缺陷和回波工程:结构缺陷和杂质污染的介绍和评估
机译:碳和氧杂质对功率器件硅晶体寿命控制缺陷的影响
机译:离子注入的硼在硅中的扩散:晶格缺陷和共注入杂质的影响。
机译:硅作为石墨烯衍生物中的普遍污染物对器件性能产生重大影响
机译:掺杂鳍片场效应晶体管侧壁:由于高角度入射离子注入而导致硅中杂质的保留以及对器件性能的影响
机译:关于硅器件加工中杂质和缺陷作用的第七次研讨会
机译:具有掺杂有杂质的多晶硅层中的具有杂质扩散防止层的半导体器件和使用相同杂质的DRAM器件,能够防止掺杂有多晶硅的杂质中的杂质扩散
机译:使可编程逻辑器件中硅加工缺陷的影响最小化的装置和设备
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