垂直布里奇曼法生长Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的位错分布研究

王智贤; 赵北君; 朱世富; 邱春丽; 李新磊; 何知宇; 陈宝军

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使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe(CZT)单晶体位错分布规律.实验中选择(110)面几乎平行于径向的晶片,使用EAg-II腐蚀剂对晶片进行腐蚀,观察了晶面上蚀坑的形貌及分布,计算了位错蚀坑密度,得到CZT单晶体位错密度的分布趋势.结合晶体生长工艺,运用完全弛豫弹性应力近似理论讨论了CZT晶体位错密度分布规律.

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来源
《新疆大学学报：自然科学版(中英文)》 |2008年第4期|458-460|共4页
作者
王智贤; 赵北君; 朱世富; 邱春丽; 李新磊; 何知宇; 陈宝军;
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作者单位

四川大学材料科学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体缺陷;
关键词
CdZnTe晶体; 蚀坑; 位错分布; 完全弛豫弹性应力近似;

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