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恩云飞; 刘远; 何玉娟; 师谦; 郝跃;
西安电子科技大学微电子学院;
工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室;
非晶硅; 薄膜晶体管; 关态电流; 泄漏电流; 反向亚阈电流;
机译:低温n沟道多晶硅薄膜晶体管在开态和关态应力下的应力感应截止电流
机译:通过关态偏置应力减少玻璃薄膜晶体管中硅的关态电流
机译:非晶硅薄膜晶体管的泄漏电流:注入电流,反向沟道电流和应力效应
机译:关态应力引起的关态电流减小多晶硅薄膜晶体管
机译:非晶硅薄膜晶体管和电路的稳定性。
机译:非晶硅氧化锡薄膜晶体管中的纳米级自形成金属氧化物中间层
机译:频率滤波器对光子能谱对氢化非晶硅薄膜晶体管光电流的影响
机译:缺陷态空间位置对非晶硅和多晶硅薄膜晶体管开关特性的影响:amps 2-D的数值模拟
机译:Ni厚度对Ni诱导的非晶硅横向结晶对多晶硅TFT截止态电流的影响
机译:非晶硅薄膜晶体管及具有该非晶硅薄膜晶体管的移位电阻
机译:非晶硅薄膜晶体管及具有该非晶硅薄膜晶体管的有机发光显示器
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