3C-SiC纳米粉烧结制备多孔碳化硅的研究

摘要

研究了用3C-SiC纳米粉末压制成坯后烧结制备多孔碳化硅的温度和时间工艺参数,采用扫描电子显微镜(SEM)分析了烧结温度和时间对烧结样品平均孔径尺寸的影响,采用X射线衍射(XRD)分析了烧结样品的结构.研究结果表明,在100 kPa压力的氩气气氛中和1600℃4 h 30 min～4 h 50 min的烧结条件下,烧结样品的主要结构是3C-SiC,其他晶型基本消失;烧结样品具有大量的纳米孔,其平均孔径约为80～90 nm.