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王彩琳; 高勇; 张新;
西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西,西安,710048;
电力半导体器件; 门极换流晶闸管; 门极可关断晶闸管; 穿通击穿; 电场分布;
机译:MOS门极发射极开关晶闸管
机译:高压直流换流阀中大功率晶闸管的反向恢复特性
机译:MOS和双极栅极晶闸管:具有IGBT开关特性的晶闸管
机译:自功率发射极关断(SPETO)晶闸管的开发与应用
机译:基于非对称空间模式转换的超紧凑型宽带光二极管的逆设计
机译:非对称互补4H-SiC栅极截止(GTO)晶闸管的开关特性
机译:具有5 Kv阻断电压的大功率晶闸管。第1卷:开发具有良好动态特性的高压晶闸管(4.5 Kv)
机译:门极关断晶闸管,用于高阻断电压
机译:门极关断晶闸管(门极关断晶闸管)
机译:非对称晶闸管,其阻断/扫描电压与温度行为无关
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