GaAs光导开关超短电脉冲响应特性的研究

戴慧莹; 马德明; 施卫

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用1064 nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关,对线性模式输出超短电脉冲响应特性进行了测试,并对所测试的实验结果进行理论分析.分别给出了在偏置电压和触发光能一定的条件下,超短电脉冲响应特性的变化规律;指出影响超短电脉冲响应特性的主要原因是由于缺陷能级的俘获作用,共面微带传输线对超短电脉冲波形不产生明显的影响.

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来源
《西安理工大学学报》 |2007年第3期|236-239|共4页
作者
戴慧莹; 马德明; 施卫;
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作者单位

西安理工大学,理学院,陕西,西安,710048;

空军工程大学,理学院,陕西,西安,710051;

西安理工大学,理学院,陕西,西安,710048;

西安理工大学,理学院,陕西,西安,710048;

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正文语种 chi
中图分类基础理论;
关键词
光导开关; 响应特性; 缺陷能级;

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