离子注入法制备Si基量子点

摘要

利用离子注入法在Si(001)衬底上先后注入了In+和As-,注入能量分别为210,150keV,注入剂量分别为6.2×1016,8.6×1016cm-2,然后对样品经过退火处理制备出了量子点材料(为了避免沟道效应,注入角度选择为7°).用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,发现量子点的平均尺寸大小随退火温度和时间增加而增大.